微電子學雜志基礎信息：

《微電子學》雜志創辦于1970年，當年試刊4期。1971年正式創刊，1976年因故停刊，1977年復刊。1979年以前每年不定期出版4～6期；1980年起正式定為雙月刊。創刊三十年來，在廣大讀者和作者的熱心支持和辛勤澆灌下，《微電子學》已經成為半導體和微電子學界和業界頗具影響的專業期刊。《微電子學》主要報道國內微電子科學和技術領域的最新科研成果，重點關注模擬集成電路和專用集成電路技術的研究及其產品的推廣應用。讀者對象為：半導體行業科研人員、工程師、電子行業機關管理干部，各大專院校相關專業師生等。

微電子學雜志期刊榮譽：

《微電子學》雜志是《中文核心期刊要目總覽》認定的“中文核心期刊”，英國INSPEC（SA）數據庫、美國《化學文摘》（CA）、《劍橋科學文摘》（CSA）、俄羅斯《文摘雜志》（AJ）、日本《科學技術文獻速報》（CBST）、波蘭《哥白尼索引》（IC）等國際知名數據庫的收錄期刊，《中國學術期刊綜合評價數據庫》、《中國科學引文數據庫》來源期刊和《中國科技論文統計與分析》的引用期刊。

微電子學雜志欄目設置：

本刊主要欄目有：研究論文、技術報告、綜合評述、技術展望、產品與應用。

微電子學雜志訂閱方式：

ISSN：1004-3365，CN：50-1090/TN，地址：重慶市南坪花園路14號24所，郵政編碼：400060。

微電子學雜志社相關期刊

沒有相關工業

微電子學雜志社投稿信息

1.頁面設置應按下面格式：字數/行數：46字/46行；頁邊距設為：上2.54厘米，下2.54厘米，左2厘米，右2厘米；文章篇名為二號黑體，正文內容為5號宋體；文章正文和參考文獻設為雙欄，中英文篇名及摘要等設為通欄。

2.文章應包含摘要和3～8個關鍵詞，還須附上相應的英文題名、摘要、關鍵詞、作者單位正式對外英譯名。文后應附150字以內的第一作者簡歷（含姓名、出生年月、性別、籍貫、民族等）。基金項目請注明編號。

3.標題和摘要。論文標題不超過20個漢字。中英文摘要應簡明扼要，說明文章的目的，主要工作過程及使用的方法，研究工作最后得到的結果和結論。中文摘要不超過300個漢字，英文摘要不超過150個英文單詞。

4.作者簡介。作者簡介應包括：作者姓名、出生年、性別、民族、籍貫、職稱/學位，和主要研究方向。

5.圖。文內插圖應精選，以不超過5幅為宜。插圖寬度應小于8cm。插圖中的文字應清晰可辨，字號統一選用小五號，中文選仿宋體，西文選TimesNewRoman。電路仿真圖及其他計算機生成的圖形須用圖形處理軟件進行必要的處理，使圖中的文字和數字符合本刊要求。若有彩色圖形，請轉換成黑白圖形。若圖中有坐標，需注明坐標所表示的物理量（斜體）和單位（正體）。若有圖注，放在圖的下部。每幅圖均應標明圖號，給出圖題。

6.表。表格提倡三線表，必要時可加輔助線。表號和表題放在表上。表中參數應標明量和單位（用符號），若單位相同，可統一寫在表關或表頂線上右側。若有表注，寫在表底線下左側。

7.量和單位。文中的物理量和單位應符合國家有關標準。注意區分外文字母的大、小寫,正、斜體、上下角標要標示清楚。計量單位請用GB3100—3102—93《量和單位》規定的法定計量單位。

8.參考文獻。文后參考文獻的著錄應符合國家相關標準。主要有以下幾種形式：

a.專著：[序號]　著者.書名[M].出版地:出版者，出版年.起止頁碼（任選）.

b.期刊：[序號]　著者.篇名[J].刊名，出版年；卷號（期號）：起止頁碼.

c.論文集：[序號]著者.篇名[A].會議名[C].開會地，出版年.起止頁碼.

9.請注明作者工作單位和詳細通訊地址及聯系電話或電子信箱。單位或聯系人地址如有變動，請及時通知編輯部。

微電子學雜志社編輯部征稿60Coγ射線低能散射對CMOS器件電離輻射效應的影響總劑量輻射效應中的輻射源及劑量測量基于動態計算可觀測性無關項的OBDD變量序算法超大容量語音系統的存貯方法研究單片MCU內部的電磁兼容性設計研究子網絡故障模型及其應用SiGeMOS器件SiO_2柵介質低溫制備技術研究硅的橫向刻蝕技術研究無線通信領域MEMS器件的研究進展CMOS單元版圖生成算法綜述I2C總線接口技術在視頻處理芯片中的應用低功耗CMOS低噪聲放大器的分析與設計一種增益可控音頻前置放大器電路的設計一種12位50MSPS流水線逐次逼近A/D轉換器一種基于高壓工藝的高精度電流采樣電路一種用于半并行A/D轉換器的比較器設計通用二階曲率補償帶隙基準電壓源數字電視調諧器中鎖相環鎖定時間的計算一種應用于DSP嵌入式存儲器的靈敏放大器設計一種可切換的雙頻段CMOS低噪聲放大器一種新型低電壓極限電流檢測電路CMOS射頻功率放大器中的變壓器合成技術