人工晶體學報雜志基礎(chǔ)信息：

《人工晶體學報》是由中材人工晶體研究院主辦，由《人工晶體學報》編輯委員會編輯，《人工晶體學報》編輯部出版的國家級學術(shù)性期刊，是我國唯一專門刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學術(shù)性刊物。《人工晶體學報》以“讓中國晶體走向世界讓世界關(guān)注中國晶體”為己任，論文年內(nèi)容集中反映了我國人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果，覆蓋了本學科的所有研究項目和應用領(lǐng)域，成為世界了解我國人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口。《人工晶體學報》以論文和簡報等形式及時報道我國在晶體材料、半導體材料、光電子材料、新能源材料（太陽能電池材料、鋰離子電池材料、固體氧化物燃料電池材料）、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果，同時介紹國內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動態(tài)與學術(shù)交流活動及會展信息。刊戶覆蓋以上各行業(yè)的大專院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營單位和省（市）圖書館、政府相關(guān)部門，該刊已在美、日、英、俄、德等國家和地區(qū)發(fā)行。學報編委會由全國30多位知名院士、教授和專家組成，負責確定《學報》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。

人工晶體學報雜志收錄情況：

《人工晶體學報》為美國《工程索引》（EI）收錄源期刊；此外，早已收錄《學報》的其它國際著名檢索系統(tǒng)有：美國《化學文摘》（CA），英國《科學文摘》（INSPEC），日本《科技文獻速報》（JICST），俄羅斯《文摘雜志》（AJ）。在國內(nèi)，《人工晶體學報》為"中文核心期刊"；已被《中國科技文獻數(shù)據(jù)庫》收錄，全文內(nèi)容在"萬方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng)；被《中國期刊網(wǎng)》、《中國學術(shù)期刊（光盤版）》全文收錄；是《中國學術(shù)期刊綜合評價數(shù)據(jù)庫》來源期刊；《中國學術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國優(yōu)秀科技期刊”獎,并多次榮獲部級“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎勵。經(jīng)過多年的發(fā)展，目前《人工晶體學報》日益受到國內(nèi)外讀者的廣泛歡迎，受到美國、俄羅斯、日本、捷克等國外科研企業(yè)的高度關(guān)注，國外有關(guān)公司已通過《學報》所展示的信息與國內(nèi)有關(guān)單位進行了廣泛接觸與交流。他們的目標是追蹤高科技前沿，主推高學術(shù)水平，展示技術(shù)與工程的結(jié)合，促進產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

人工晶體學報雜志獲獎情況：

獲獎情況：1997年獲全國第二屆優(yōu)秀科技期刊獎，1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎，1989年獲優(yōu)秀期刊獎，中文核心期刊(2008)，中文核心期刊(2004)，中文核心期刊(2000)，中文核心期刊(1996)，中科雙效期刊，Caj-cd規(guī)范獲獎期刊。

人工晶體學報雜志訂閱方式：

《人工晶體學報》創(chuàng)刊于1972年6月，英文刊名：JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALS,該刊登記注冊的國際、國內(nèi)刊號為：ISSN1000-985X,CN1-2637/O7，CODENRJXUEN。地址：北京朝陽區(qū)紅松園1號中材人工晶體研究院，北京733信箱，郵政編碼：100018。現(xiàn)為雙月刊。

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人工晶體學報雜志社投稿信息

1、文題、作者姓名（一般不超過6人）、作者單位及所在城市和郵編、摘要、關(guān)鍵詞均需中英文對照。論文如果獲得有關(guān)研究基金或課題資助，需提供基金名稱及編號，并提供第一作者的姓名、出生年、性別、職稱、學位及E-mail地址；以及聯(lián)系人姓名、職稱、電話、傳真及E-mail地址。

2、論文題目應簡潔、準確，不宜使用縮略詞；摘要（中文）字數(shù)一般在200字左右，英文摘要字數(shù)可稍多，不一定與中文部分完全對應。摘要內(nèi)容應包括論文的研究目的、方法及結(jié)果等；關(guān)鍵詞的個數(shù)為3～8個。文章字數(shù)3000～5000字，文中量、單位及符號的使用應符合國際標準和國家標準。注意容易混淆的外文字母的文種、大小寫、正斜體及上下角標的正確書寫。

3、圖（含照片）、表和公式應通篇分別編號，圖題、表題應有中英文對照。表格應采用三線表形式，內(nèi)容以英文表述。曲線圖應直觀、簡潔，圖中文字用英文、量的名稱及符號、坐標要準確、清晰（物理量符號用斜體，單位用正體）并與文中一致，曲線圖的尺寸（高*寬）以100×130mm為宜，為方便修改，文中曲線圖應采用計算機繪圖，最好用Origin格式插入，字體采用Arial，4號字（24磅），激光打印機打印。照片要求黑白分明，層次清晰。

4、參考文獻書寫格式請參考以下《人工晶體學報》參考文獻書寫規(guī)范。

5、稿件具體格式、體例請參考近期出版的《人工晶體學報》中文版（點擊可下載范例）。

人工晶體學報雜志社編輯部征稿AgGa1-xInxSe2晶體熱處理研究太赫茲聲子極化激元在LiNbO_3微結(jié)構(gòu)中的衍射和干涉動態(tài)過程的時間分辨成像不同溫度下碲銦汞晶體結(jié)構(gòu)的XRD研究坩堝下降法生長弛豫鐵電晶體PIMNT的單晶性表征大尺寸KDP晶體切削開裂效應數(shù)值模擬分析研究銅單晶的定向方法研究弛豫鐵電晶體PZNT(001)晶面的腐蝕行為福建物構(gòu)所中遠紅外非線性光學材料結(jié)構(gòu)設(shè)計取得突破輝光功率對n型a-Si:H薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響鎢酸鉛閃爍晶體垂直梯度凝固法生長及光學性能研究溫度梯度法BaY_2F_8晶體生長中的小面研究SiO_2氣凝膠小球熱處理過程中的相變研究籽晶垂直布里奇曼法生長大尺寸CdZnTe單晶體ZnWO_4單晶襯底上ZnO薄膜的晶核發(fā)育與形貌分析二維聲子晶體異質(zhì)線缺陷的聲波導特性Ti-Al-Nb_2O_5系原位合成Al_2O_3晶須的形成機理分析采用DCArcPlasmaJetCVD方法沉積微/納米復合自支撐金剛石膜采用兩步壓強法制備優(yōu)質(zhì)微晶硅薄膜pH值對KDP晶體溶解度和溶液穩(wěn)定性的影響中紅外激光晶體Er∶KPb_2Cl_5的原料制備和晶體生長納米軟磁粉體燒結(jié)過程中的晶粒生長動力學研究進展非配位性溶劑中CdS納米顆粒的生長動力學及其機理研究甲酸根離子摻雜的鹵化銀中空穴陷阱效應分析