硅光子芯片面對挑戰怎樣向成熟發展

　　相對于其他工藝，硅光在芯片設計方法和流程方面會有更多的挑戰，比如硅光子技術與CMOS工藝，重復制定IP和復雜芯片的設計等。充分利用先進的半導體設備和工藝，個別工藝的特殊控制，多層次光電聯合仿真是硅光子芯片從小規模設計走向大規模集成應用的重要一步。光子鏈路的仿真、器件行為級模型、版圖的布局布線及驗證才可以使硅光芯片更多成熟。

　　關鍵詞： 硅基光子學,設計方法,設計流程,大規模集成

　　硅光子集成技術，是以硅和硅基襯底材料(如SiGe/Si、SOI等)作為光學介質，通過互補金屬氧化物半導體(CMOS)兼容的集成電路工藝制造相應的光子器件和光電器件(包括硅基發光器件、調制器、探測器、光波導器件等)，并利用這些器件對光子進行發射、傳輸、檢測和處理，以實現其在光通信、光互連、光計算等領域中的實際應用。硅光子技術結合了以微電子為代表的集成電路技術的超大規模、超高精度的特性和光子技術超高速率、超低功耗的優勢。在過去幾十年里，作為現代集成電路產業基石的CMOS工藝取得了令人矚目的發展。

　　而硅光子集成技術作為依存在CMOS工藝之上的一個新興技術方向，從設計方法、設計工具和流程、基于工藝平臺的協同設計等方面很大程度上參考和借鑒了微電子對應的內容。特別是最近幾年，硅光子單芯片集成也像集成電路領域經典的摩爾定律描述的那樣，每隔一段時間集成的器件數量翻番，從而能在相同面積的芯片上實現更多的功能[1]。很多CMOS晶圓廠及中試平臺不斷采用更先進的工藝進行硅光芯片及硅光芯片與電芯片的集成研究[2-3]，這為硅光芯片打開了大規模集成應用的大門。硅光芯片的設計者能比較便利地享受晶圓廠成熟工藝的流片服務，這是硅光芯片能實現廣泛商業化的前提之一。另外一個前提是：類比集成電路領域，需要有一套固化的設計流程，以得到更加完善的電子設計自動化(EDA)工具的支持和基于單元器件庫的設計方法。

　　1 硅光工藝的開發

　　1.1 硅光子的特殊性

　　硅光子和微電子都是基于硅材料的半導體工藝，因此將集成光子工業基于微電子工業之上，使用硅晶作為集成光學的制造平臺將是硅光子工藝平臺的最佳選擇。這將使全球歷時50年、投入數千億美元打造的微電子芯片制造基礎設施可以順利地進入集成光器件市場，將成熟、發達的半導體集成電路工藝應用到集成光器件上來，集成光學的工業水平會得到極大提高，這正是目前發展良好的硅光子技術的發展思路。

　　然而，硅光子相對于微電子工藝有其特殊性，不作修改的微電子工藝平臺無法制備出高性能的硅光子器件。因此CMOS只能提供硅基光電子加工設備，具體的工藝制備流程仍需開發。相對于微電子工藝，硅光子特殊性主要表現在以下幾個方面：

　　(1)總體路徑。硅光子當前的發展水平相當于20世紀80年代初微電子的水平，自動化、系統化和規模化都遠遠不夠。硅光子的發展也不是像微電子一樣延續尺寸和節點減小的發展路徑。目前硅光子的特征尺寸約為500 nm，最小尺寸在100 nm左右，相對于微電子大得多，更小的工藝節點對硅光子器件本身沒有像集成電路等比縮小這樣有特別大的意義，當然更小工藝節點的半導體設備對工藝控制得更好，能在一致性、重復性和成品率等方面體現優勢。

　　(2)版圖特點。硅光子器件尺寸差別大，尤其存在許多不規則結構，這在微電子版圖里是基本沒有的。另一方面，硅光子器件的特征尺寸(～500 nm)并不是最小尺寸(～100 nm)，這和集成電路是不同的。工藝過程中往往既需要對最小尺寸進行控制，又更需要對特征尺寸進行控制，也對工藝監測和優化提出了更高的要求。

　　(3)工藝特殊性。硅光子材料相對于可編程邏輯控制器(PLC)和銦磷(InP)等材料體系具有更大的折射率差，因此波導尺寸可以非常小。

　　然而，其帶來的缺點是硅光子器件對尺寸和工藝誤差非常敏感，1 nm的工藝誤差足以對硅光子器件性能帶來明顯的影響，因此硅光子工藝需要嚴格的尺寸精度控制。除了尺寸精度控制，硅光子器件側壁粗糙度也對波導損耗帶來巨大影響，必須對制備工藝進行優化。理論和實驗數據表明：2 nm的側壁粗糙度將可以帶來2～3 dB/cm的波導傳輸損耗[4]。

　　(4)材料特殊性。從光電子材料本身的特性來看，硅材料并不是最好的選擇。由于不是直接間隙半導體材料，硅基發光一直是一個巨大的難題。硅沒有一階線性電光效應，因此也不是最佳的調制器材料。而且，硅對1.1 μm以上波長透明，無法作為通信波段光探測器材料。為了實現硅基器件性能的突破，以硅材料為基底引入多材料是硅光子的必然選擇。如硅基引入Ge材料制作GeSi探測器已成為一項標準工藝，需要解決外延生長過程中大的晶格失配，Kimerling教授研究小組通過高低溫兩步生長工藝較好地解決了該問題[5]。

　　1.2 基于CMOS的硅光子工藝的開發

　　硅光子器件尺寸跨度從幾十微米到約100 nm，特征波導的尺寸為500 nm左右，合適的工藝節點大概為0.13 μm及以下。比利時IMEC、新加坡IME、美國AIM Photonics都是采用200 mm、0.13 μm來加工硅基光電子器件。

　　微電子工藝已經有超過50年的發展和積累，基于標準CMOS工藝開發硅光子工藝將是一種最優選和最經濟的方法。在工藝開發過程中需遵循以下基本原則：

　　(1)溫度預算。新增或修改的工藝溫度一定要符合整個工藝流程，如：超過400℃的工藝不能放在后端工藝。

　　(2)污染控制。可能引入交叉污染的工藝必須放在污染敏感的工藝后面。

　　(3)關鍵工藝。保證關鍵工藝性能，如：最關鍵的硅波導光刻工藝盡量在平整表面進行。

　　(4)減少修改。盡量減少對標準CMOS工藝的修改也是工藝流程優化需要考慮的一個重要方面。

　　顯示了從標準CMOS工藝到硅光子工藝流程的過程，至少需要對標準CMOS工藝增加3個工藝模塊：部分刻蝕、Ge外延生長和光窗成型，同時需要針對硅光子器件進行大量的工藝參數優化設計，如：第6步的硅摻雜對調制器的設計非常關鍵，摻雜濃度、形貌需要針對硅光子器件進行優化。

　　2 硅光芯片設計流程及挑戰

　　硅基光電子作為基于CMOS工藝的新興方向，直接受益于微電子行業幾十年發展的積淀。CMOS平臺所能提供的強大工藝能力，使大規模集成硅光子器件成為可能[6-7]，這是其他光子集成方向所無法比擬的。如何利用現有成熟工藝，也是硅基光電子設計工程師所面臨的巨大挑戰。目前，硅光子的設計方法和設計工具，多效仿或來自于微電子領域的電子設計自動化(EDA)。

　　EDA對系統功能的實現多通過已驗證元件的組合，這些元件一般包含于工藝廠提供的工藝設計包(PDK)。目前在一些硅光子多項目晶圓(MPW)流片中，工藝廠已經開始提供PDK用于硅光子領域的設計[7]，但是功能仍十分有限。另一方面，硅光子設計有其獨特的需求，EDA工具無法滿足其自動化設計需求，亟需針對硅光子設計的硅光子設計自動化(PDA)工具[8]。

　　展示了現階段的硅光子設計流程[6]，類似于EDA的流程，硅光子設計也是從系統功能需求出發。基于功能分析和分解，設計出光子鏈路，并仿真獲得其可實現的功能性參數;進一步地，通過物理仿真與優化，獲得組成光子鏈路的器件結構及布圖設計;然后基于器件的物理模型，分析鏈路集成中的寄生效應并驗證鏈路功能性，修正設計其結構參數。

　　在整個硅光子設計流程中，目前仍面臨著諸多挑戰。光子鏈路的仿真便是其中之一。相比于其他的光子仿真工具，鏈路的仿真工具出現較晚[9]，仿真方法一般是利用散射矩陣的形式來描述鏈路中光子器件及其之間的連接;但是由于光子器件本身的結構復雜性，很難使用單一的散射矩陣來描述其屬性。另一方面，現在的工藝已經可以實現單片數以千計的無源有源器件混合集成，相互之間帶來的寄生效應更難以用單一矩陣形式描述，更不用說光電集成時的所面臨的光電混合仿真。

　　要實現準確的光子鏈路仿真，其根本在于構建精確的基礎光子器件的行為模型，這也是硅基光電子設計目前面臨的另一個挑戰。在硅基光電子發展的前10年里，大量的工作集中于光子器件的物理仿真，以構建用于光子鏈路的器件模型;但是受制于光子器件模型的復雜性，以及其功能特性對模型結構精確度的敏感性，很難從物理模型中提取器件的行為模型，這也導致了光子鏈路仿真的不確定性，使得設計流程經常需要在鏈路仿真與器件優化之間做更多次的設計迭代。

　　另一方面，大多數的硅基光電子器件均是波長依賴型的，并且嚴重依賴于材料的溫度特性及其他物理效應，這使得器件模型中所描述的功能特性僅在特定環境條件下才是可信的，一旦環境條件改變，額外的仿真與優化就必不可少。當然，進一步完備器件模型，是解決該問題的一個方法，另外還可以根據工作條件，由設計工具自動地完成環境設置及器件的額外仿真優化，這是設計工具的一個發展趨勢，不過目前僅有少數工具可以有限地實現該功能。

　　硅光子鏈路與器件設計完成后需要生成掩模版圖，用于提交給工藝廠進行制備。布圖的生成一般仍獨立于鏈路設計，而且多沿用EDA中使用的工具。與電路布圖多是橫平豎直的矩形結構不同，硅光子鏈路及器件的結構需要考慮導波的需求，尤其在轉彎連接處大多需要采用曲線構型，從而使硅光子的布圖更加復雜。另外，由于硅光子波導的制備一般僅使用一層硅材料，這樣復雜結構的波導就需要采用不同深度的刻蝕工藝來實現，考慮波導器件性能對結構尺寸的敏感性，實際制備時需要非常精準的套刻工藝。

　　而對于單次刻蝕工藝來講，由于硅光子器件的復雜結構，在同一掩模中，會出現尺寸跨度較大的不同結構，使得單步工藝中需要兼顧各異的刻蝕結構，這幾乎是不可能通過工藝調整來實現的，只能利用布圖的優化與修正來實現。　布圖中另一個難點是布局與布線(P&R)。對硅光子器件來講，要面臨比電子器件布局中更多的限制，比如轉彎半徑、波導間距等，以避免不必要的損耗和耦合。而器件的連接則要考慮器件端口結構與連接波導類型、角度的匹配，對于相位敏感的鏈路結構，還需要精確控制不同鏈路中的連接波導長度。

　　在送交布圖到工藝廠加工之前，驗證工作也是必不可少的。目前用于硅光子的驗證工具多直接來源于EDA工具的定制，僅能實現設計規則檢查(DRC)。由于光電器件之間的諸多差異，DRC的實現也是十分有限的，例如版圖中常出現的曲線結構，現有的DRC工具幾乎無能為力。另一項更大的挑戰來自于版圖和電路圖的對比驗證(LVS)，由于從硅光子版圖中提取鏈路模型非常困難，目前仍沒有專門的工具來實現。不過，將硅光子設計流程集成于統一的開發環境，是實現該功能的可行途徑。

　　3 結束語

　　硅光子集成的工藝開發路線和目標比較明確，困難之處在于如何做到與CMOS工藝的最大限度的兼容，從而充分利用先進的半導體設備和工藝，同時需要關注個別工藝的特殊控制。硅光子芯片的設計目前還未形成有效的系統性的方法，設計流程沒有固化，輔助設計工具不完善，但基于PDK標準器件庫的設計方法正在逐步形成。如何進行多層次光電聯合仿真，如何與集成電路設計一樣基于可重復IP進行復雜芯片的快速設計等問題是硅光子芯片從小規模設計走向大規模集成應用的關鍵。

　　參考文獻

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　　[6] SOREF R. The Past Present and Future of Silicon Photonics [J]. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics， 2006， 12(6)：1678-1687. DOI： 10.1109/JSTQE.2006.883151

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