低溫物理學(xué)報(bào)雜志基礎(chǔ)信息：

本刊創(chuàng)刊時(shí)間是1979年，本刊是經(jīng)國家科技部批準(zhǔn)、中國科學(xué)院主管、中國科技大學(xué)主辦的綜合性自然科學(xué)專業(yè)學(xué)術(shù)期刊（國內(nèi)外公開發(fā)行），是中國物理學(xué)會(huì)低溫物理專業(yè)委員會(huì)會(huì)刊。主要刊登低溫物理領(lǐng)域基礎(chǔ)科學(xué)及技術(shù)科學(xué)的研究成果（包括海外學(xué)者）、與低溫物理學(xué)研究相關(guān)的交叉學(xué)科的研究論文及低溫物理學(xué)研究高級(jí)述評(píng)等。中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心，國家科技部情報(bào)研究所情報(bào)中心重點(diǎn)檢索期刊之一，國家光盤中心和萬方上網(wǎng)期刊固定刊源之一。

低溫物理學(xué)報(bào)雜志欄目設(shè)置：

主要欄目：研究論文、研究快報(bào)、技術(shù)應(yīng)用及交叉學(xué)科研究論文。

低溫物理學(xué)報(bào)雜志期刊榮譽(yù)：

CA化學(xué)文摘(美)(2009)、SA科學(xué)文摘(英)(2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(bào)(日)(2009)、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(CSCD—2008)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(1992)。

低溫物理學(xué)報(bào)雜志訂閱方式：

ISSN：1000-3258、CN：34-1053/O4、郵發(fā)代號(hào)：26-136。

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低溫物理學(xué)報(bào)雜志社編輯部征稿磁通量子比特qubit信號(hào)強(qiáng)度隨勢(shì)壘偏置電壓的變化有序介孔氧化硅SBA-15/納米AgI復(fù)合材料制備及其物性研究ITERTF鎧甲焊縫力學(xué)性能研究電磁交互場(chǎng)對(duì)Al-合金凝固組織的影響研究納米微粒對(duì)PVP低溫保護(hù)劑比熱的影響La2/3(Ca0.65Ba0.35)1/3MnO3/0.035TiO2/xCuO復(fù)合體系電輸運(yùn)和磁電阻效應(yīng)研究基于碳化硼復(fù)相MgB_2超導(dǎo)體制備及特性高溫?zé)崽幚須夥諏?duì)低氟MOD法制備YBCO超導(dǎo)薄膜的影響研究退火溫度對(duì)YBa_2Fe_3O_8的結(jié)構(gòu)與磁性質(zhì)影響分析微型SMES用超導(dǎo)儲(chǔ)能磁體試驗(yàn)研究絕緣層方勢(shì)壘影響下N/I/自旋三重態(tài)p波超導(dǎo)體結(jié)的隧道譜Cu-O平面量子阱結(jié)構(gòu)中的大雙極化子(英文)熔融織構(gòu)YBCO塊材磁通動(dòng)力學(xué)參量的磁光圖像研究高溫超導(dǎo)體中磁通液態(tài)的力學(xué)研究非理想第二類超導(dǎo)體磁通蠕動(dòng)的計(jì)算模擬研究用MOCVD法在YSZ襯底上制備YBCO膜介觀鋁超導(dǎo)線電流-電壓關(guān)系的反常現(xiàn)象微波近場(chǎng)顯微鏡及其在超導(dǎo)薄膜和襯底材料特性無損檢測(cè)上的應(yīng)用Re摻雜對(duì)Hg系超導(dǎo)體U-J關(guān)系的影響欠摻雜YBa2Cu3O7-δ中相位相干對(duì)正常態(tài)內(nèi)耗的影響高溫超導(dǎo)YBCO雙晶結(jié)毫米波諧波混頻的實(shí)驗(yàn)研究高穩(wěn)定性Tl_2Ba_2CaCu_2O_x薄膜DC-SQUID用脈沖激光淀積制備具有光滑表面的A-軸取向YBa_2Cu_3O_7薄膜垂直磁場(chǎng)中超導(dǎo)薄膜上的渦旋漲落用激光分子束外延的YBCO薄膜制備高穩(wěn)定性DC-SQUID脈沖激光淀積高溫超導(dǎo)薄膜的幾個(gè)技術(shù)問題HTS臺(tái)階邊緣結(jié)──特性和制作的實(shí)驗(yàn)研究X射線研究CeO_2緩沖層在Ni片上制備YSZ/CeO_2阻擋層和YBCO超導(dǎo)膜用于甚高頻rfSQUID的電感耦合式諧振器超導(dǎo)薄膜的磁場(chǎng)穿透深度的測(cè)量在SrTiO_3,NdGaO_3襯底上生長的HgBa_2CaCu_2O_y超導(dǎo)薄膜鐵電/超導(dǎo)集成膜和鐵電多層膜的TEM研究Ag/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/YBa2Cu3O7-x三端器件構(gòu)造和性能的研究PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si復(fù)合薄膜的取向生長及鐵電性研究